Toshiba представила 48-слойные чипы памяти BiCS Flash емкостью 256 Гбит

Компания Toshiba представляет новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трехмерных ячеек памяти. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015-го года.

Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить емкость памяти, улучшить надежность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.

Компания Toshiba анонсировала BiCS FLASH в 2007 году и с тех пор продолжала оптимизировать технологию для массового производства. Японский производитель считает, что в следующем году рынок флеш-памяти значительно возрастет, поэтому активно выступает за переход на BiCS FLASH. Продуктовая линейка новых чипов включает наиболее емкие модели для самых требовательных прикладных областей, таких как SSD.

Компания Toshiba готовится начать массовое производство BiCS FLASH на новой фабрике Fab2 объекта Yokkaichi Operations. Постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флеш-памяти, завершится в первой половине 2016 года.